在半導(dǎo)體、顯示面板及精密電子制造領(lǐng)域,靜電積累可能導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降、設(shè)備故障甚至元器件損壞。傳統(tǒng)的電暈放電式離子發(fā)生器雖廣泛應(yīng)用,但其固有的臭氧排放、顆粒污染和氣流干擾問題,使其難以滿足制造環(huán)境的需求。日本Motoyama公司推出的SXN系列軟X射線照射式離子發(fā)生器,采用創(chuàng)新的光電離技術(shù),提供了更高效、更潔凈的靜電消除解決方案。
SXN系列的核心技術(shù)在于利用3-15keV的軟X射線照射目標(biāo)區(qū)域,使空氣分子(N?、O?等)發(fā)生光電離效應(yīng),直接生成等量的正負(fù)離子(⊕/?)。相較于傳統(tǒng)的電暈放電技術(shù),該方式具有以下優(yōu)勢:
無放電電極:避免電極氧化、顆粒粘附及火花放電風(fēng)險,適用于Class 1及以上無塵環(huán)境。
離子平衡性佳:正負(fù)離子比例嚴(yán)格均衡(±0V),消除反向充電問題。
無附加污染:不產(chǎn)生臭氧(O?)、氮氧化物(NOx)或電磁干擾(EMI),符合半導(dǎo)體制造的高潔凈要求。
無顆粒釋放,避免污染晶圓、OLED面板等敏感基材。
零臭氧排放,適合光刻、真空鍍膜等對化學(xué)污染敏感的工藝。
傳統(tǒng)離子風(fēng)機依賴氣流輸送離子,可能吹動薄膜、粉末或微米級元件。
SXN系列無需風(fēng)扇,通過X射線直接電離目標(biāo)區(qū)域空氣,特別適合柔性顯示面板(OLED)、MEMS器件等精密制造。
可在1秒內(nèi)將±10kV靜電衰減至±100V以下,速度較傳統(tǒng)電暈式快3-5倍。
適用于高速晶圓傳輸、自動光學(xué)檢測(AOI)等動態(tài)制程。
無電極清潔需求,僅需在X射線管壽命(通常≥3年)到期時更換,大幅降低停機時間。
設(shè)備內(nèi)置異常警報系統(tǒng)(如輻射源故障、系統(tǒng)錯誤),支持預(yù)測性維護(hù)。
模塊化結(jié)構(gòu)(最小頭部單元φ40×60mm),可嵌入機械臂、真空腔體或狹小生產(chǎn)線空間。
指標(biāo) | SXN-104V | 傳統(tǒng)電暈式離子風(fēng)機 | 優(yōu)勢 |
---|---|---|---|
離子生成方式 | 軟X射線光電離 | 高壓電暈放電 | 無電極污染 |
臭氧產(chǎn)生 | 0 ppm | 0.1~1 ppm | 100%潔凈 |
靜電消除速度 | ±10kV→±100V(<1s) | ±10kV→±100V(3~5s) | 快3-5倍 |
維護(hù)需求 | 僅X射線管更換(≥3年) | 每周電極清潔 | 減少90%維護(hù) |
適用環(huán)境 | Class 1無塵室 | Class 1000以上 | 更高潔凈度兼容 |
前道工藝:在光刻、蝕刻、離子注入過程中消除晶圓靜電,防止顆粒吸附及電路損傷。
封裝測試:避免ESD(靜電放電)導(dǎo)致芯片微短路或可靠性下降。
玻璃基板搬運、偏光片貼合時消除靜電,減少灰塵吸附造成的亮點缺陷。
柔性O(shè)LED制程中,無氣流設(shè)計確保薄膜材料無位移。
電容、MLCC(多層陶瓷電容)生產(chǎn)時,防止靜電擊穿介電層。
晶圓級封裝(WLP)中的高精度貼裝需求。
SXN系列通過軟X射線電離技術(shù),重新定義了靜電消除的標(biāo)準(zhǔn),尤其適用于3D NAND、Micro LED、先進(jìn)封裝等新興技術(shù)領(lǐng)域。未來,隨著X射線源微型化及AI動態(tài)調(diào)控技術(shù)的發(fā)展,該技術(shù)有望進(jìn)一步拓展至生物芯片、量子器件等更精密的制造場景。
Motoyama SXN系列離子發(fā)生器憑借其0污染、無氣流干擾、超高速度與超低維護(hù)的特性,已成為制造業(yè)靜電控制的解決方案。對于追求良率與制程穩(wěn)定性的企業(yè),該產(chǎn)品不僅是技術(shù)升級的選擇,更是邁向“0缺陷制造"的關(guān)鍵助力。