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接觸式測厚儀TOF-4R05在半導(dǎo)體芯片薄膜上的運用

  • 發(fā)布日期:2024-07-01      瀏覽次數(shù):509
    • 接觸式測厚儀TOF-4R05在半導(dǎo)體芯片薄膜上的運用

      在半導(dǎo)體制造業(yè)中,薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。在制造過程中,晶圓要進行多次各種材質(zhì)的薄膜沉積,因此薄膜的厚度及其性質(zhì)(如折射率和消光系數(shù))需要準確地確定,以確保每一道工藝均滿足設(shè)計規(guī)定。

      光學(xué)薄膜測量設(shè)備的光譜測量方式主要分為橢圓偏振和垂直反射兩種。在橢圓偏振方式下,光源發(fā)出的光經(jīng)由起偏器、光學(xué)聚焦系統(tǒng),以一定的角度入射圓片,經(jīng)過表面膜層和硅襯底反射的光學(xué)系統(tǒng)和起偏器,由光譜儀接受。通過對膜厚和薄膜光學(xué)常數(shù)等變量進行回歸迭代逼近,使計算光譜和實測光譜吻合,最終所得到的迭代值即為所測薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)。

      image.png


      模型TOF-4R05
      測量方法接觸式/線性規(guī)/夾緊方式
      測量目標薄膜、片材
      測量原理線性規(guī)/夾緊法
      image.png
      產(chǎn)品特點
      • 輕松快速的離線厚度測量

      • 測量數(shù)據(jù)實時顯示在屏幕上

      • 測量數(shù)據(jù)還可以自動保存到您的計算機中。

      • 由于測量是自動進行的,因此測量數(shù)據(jù)不存在個體差異。

      • 雷達圖也可用于調(diào)整吹塑薄膜。

      • 由于采用夾層法進行測量,因此即使是有卷曲等的厚紙也可以測量。

      產(chǎn)品規(guī)格
      測量厚度0.03~3mm
      測量長度10~10000mm
      測量間距1毫米~
      最小顯示值0.5微米
      測量壓力0.6±0.1N
      電源電壓AC100~240V 50/60Hz
      工作溫度限制5~40℃
      濕度35-80%(無冷凝)
      能量消耗50 VA(不包括電腦)
      選項?卷紙打印機輸出功能
      ?0.1mm間距測量功能
      ?連續(xù)測量功能
      ?各專用探頭
      ?圖像轉(zhuǎn)印功能
      ?壓紙機構(gòu)
      ?輸送速度顯示


    聯(lián)系方式
    • 電話

    • 傳真

    在線交流
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